使用雙向晶閘管時，應特別注意以下事項:

1.靈敏度

　　雙向可控硅是一個三端元件，但我們可以不再稱其兩極為陰陽極，而是一種稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓技術無論為正向作用觸發信號脈沖或負向情感觸發進行脈沖均可使企業控制極導通，但是通過觸發方法靈敏度之間互不影響相同，即保證學生雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

2.硅控過載的保護

晶閘管元件有許多優點，但其過載能力較差，短時過流、過電壓會對元件造成損壞，因此為了保證元件的正常工作，必須有以下條件：

(1)施加電壓允許超過正向轉向電壓，否則控制桿不起作用;

(2)從安全角度考慮，可控硅的平均通態電流一般為較大電流的1.5~2倍；

(3)為保證內部控制極可靠觸發，加到管理控制極的觸發工作電流進行一般取大于其額值，除此以外，還必須通過采取有效保護技術措施，一般可以對過流的保護政策措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定輸出電流取可控硅電流計算平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在學生交流側或直流側，當在學習交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發生在社會存在一個電感的電路上，或交流側出現一些干擾的浪涌電壓或交流側的暫態分析過程發展產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用研究時間短，常采用不同電阻和電容吸收系統電路設計加以抑制。

3.控制大電感負荷時電網的干擾和自干擾

可控硅元件控制大電感負載，原因是可控硅元件控制連接感應負載的電路切斷時，線圈內的電流路徑很大，所以電感有高電壓，通過開關觸點內電阻的電壓反復放電，直到感應電壓低于放電所需的必要電壓，此過程中產生大脈沖束。這些脈沖束疊加在電源電壓上，然后干擾被傳輸到電源線或以輻射方式到周圍空間。該脈沖具有高振幅和寬頻率，因此具有敏感負載的開關點是一個強噪聲源。