軟啟動器中可控硅是比較具有重要的一環，所以我們保護好可控硅能夠得到大大的延長軟啟動器的使用網絡壽命。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。

與其他電源設備一樣，可控硅由于其自身的功耗而很熱。如果不采取適當的措施來釋放這些熱量，模塊芯的PN結溫度將急劇上升。設備功能似乎會惡化，直到完全損壞。

晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。 傳導損耗在功率頻率或低于400Hz的頻率下的應用中占主導地位。

常用散熱器: 自然風冷卻、強迫風冷卻、熱管冷卻、水冷卻、油冷卻等。

正常工作情況的軟啟動器設備有3.5-4%的功率損耗，主要以熱量的形式散失在環境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環境的溫度問題，若工作環境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導致軟啟動器過熱保護跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環境，須對變頻器及運行環境的溫度控制采取相應的措施。

給軟啟動器預留發展一定的空間，定期給軟啟動器進行清灰系統處理，都是我們能夠得到有效方法降低可控硅溫度的方式。

以上就是硅冷卻的重要性，我希望能幫助你。