晶閘管自問世以來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展，以其體積小、安裝調(diào)試簡(jiǎn)單、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，在電氣控制領(lǐng)域發(fā)揮了重要作用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。 但在使用晶閘管時(shí)也應(yīng)采取相應(yīng)的保護(hù)措施。

1. 過流保護(hù)；過負(fù)載是過流的原因。 過流保護(hù)通常采用快速熔斷器實(shí)現(xiàn)直流側(cè)短路。 快速焊接在模塊交流輸入端，額定電流根據(jù)負(fù)切割額定功率計(jì)算模塊交流輸入端各相有效電流選擇。 在AC側(cè)，過電流繼電器或直接作用側(cè)通過通道變壓器連接到過電流過維護(hù)電器，且AC輸入端子自動(dòng)開關(guān)被關(guān)斷，從而主電路被關(guān)斷。

2.過電壓保護(hù): 采用壓敏電阻和阻容愛接收兩種保護(hù)方式。單相電路與交流輸入端的壓敏電阻并聯(lián)，三相電路與交流輸入端的壓敏電阻并聯(lián)成星形或三角形，能有效地抑制雷擊的發(fā)生或產(chǎn)生能量大、持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)或甚高的電壓從電網(wǎng)入侵人群。該系統(tǒng)選用壓敏電阻器為: 710-1000v。阻容吸收電路可以抑制晶閘管過電壓從導(dǎo)通到截止，避免晶閘管擊穿，但只能吸收很短的時(shí)間。低電壓

過壓。單相電路與電阻和電容串聯(lián)后并聯(lián)到交流輸入端，三相電路呈星形或三角形并聯(lián)到交流輸入端和阻容吸收電路。

3.模塊領(lǐng)配備進(jìn)行相應(yīng)敢熱器以保證其安全可靠性和安全性，本系統(tǒng)可以使用的模塊翰出額定電流產(chǎn)生較大(SOA),電動(dòng)機(jī)額定電德為12A,因此管理模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，采用一種自然環(huán)境冷卻處理方式方法即可。

4.當(dāng)三相整流模塊的直流輸出提供電機(jī)電樞時(shí)，電樞電路應(yīng)連接到電抗器，以限制直流電流的脈動(dòng)，并在直流電流亮或空載時(shí)保持連續(xù)電流。