提到可控硅，我相信我們并不陌生，它是一個高功率的電氣元件，在自動控制系統中，可以用作一個高功率的驅動裝置。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。在西西里爾的基礎上發展后，形成了所謂的雙向西里爾。雙向可控硅器不僅可以取代兩個反極并聯可控硅，而且比普通可控硅器簡單，只需要一個觸發電路，是一種理想的交流開關裝置。

雖然三端雙向可控硅開關在形式上可以看作是兩個普通晶閘管的組合，但它實際上是一個由七個晶體管和幾個電阻器組成的功率集成器件。 小功率雙向晶閘管一般采用塑料包裝，有些還配有散熱板。 triac屬于npnpn五層器件，三個電極是T1、T2、G。因為器件可以是雙導電的。 由于三端雙向可控硅開關的正向和反向特性曲線是對稱的，它可以在任何方向上傳導。

雙向可控硅可被我們認為是一種一對反并聯一個連接的普通可控硅的集成，工作基本原理與普通學生單向可控硅相同。

耐壓水平的選擇:通常將VDRM(關態重復峰值電壓)和VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的一個標為器件的額定電壓。

電流的確定： 由于企業雙向可控硅通常可以用在交流系統電路中，因此我們不用平均值而用有效值來表示它的額定工作電流值。

選擇開啟狀態（峰值）電壓VTM：是STC額定電流的指定倍數時的瞬態峰值壓降。為了減少SICR的熱損失，應盡量選擇較小的VTM。

保持電流：IH是保持晶閘管導通所需的最小主電流，與結溫有關，結溫越高，IH越小。

抗電壓上升速率: dv/dt 是指電壓在關斷狀態下上升的斜率，是防止雙向晶閘管誤觸發的關鍵參數。

相關資訊詢文章：可控硅在直流電動機中的控制方式