眾所周知，晶閘管是由PNPN四層半導體構成的元件，其具有三個電極，陽極、陰極和控制電極。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 晶閘管具有體積小、重量輕、可靠性高的優點，廣泛應用于許多行業。

今天，關于細節的小編輯和你談到可控硅:

1可控硅用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子電弧牽引、逆變電源及其他需要調節和改變電能的場合，如工業、通訊、軍事等各種電氣控制和電源等。根據需要，還可以通過可控硅的控制口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動功能，實現過流、過壓、超溫。

2 可控硅的控制管理方式： 通過數據輸入可控硅系統接口作為一個具有可調的電壓技術或者工作電流信號，通過不斷調整該信號的大小即可對可控硅的輸出電壓大小企業進行更加平滑調節，實現可控硅輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。

3.滿足可控硅運行的必要條件：

（1）+12V直流電源：晶閘管內部控制電路工作電源。

(2)可控硅信號: 0 ~ 10v 或4 ~ 20ma 控制信號，用于調節輸出電壓，正極與 con10v 或 con20ma 連接，負極與 gnd1連接。

(3)可控硅電源及負載:電源一般為電網電源，460V以下電壓或電源變壓器接在可控硅的輸入端；負載是一個電器，連接到可控硅的輸出端。

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