眾所周知，晶閘管可分為關斷晶閘管、單向晶閘管、雙向晶閘管等。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 晶閘管具有單向導電可控、小電流控制大電流、低電壓控制高電壓等特點。

讓我們看看單向和雙向晶閘管，看看什么是好的和壞的:

單向可控硅：

它是PNPN的四層結構設計，從而形成三個PN結，有三個外電極:陽極、陰極和控制電極。測試時將萬用表調至Rx1Ω，黑色筆接單向可控硅的正極，紅色筆接單向可控硅的負極。此時，使用含金屬的導體將控制電極與陽極短路。如果手向右傾斜并保持在幾十歐姆的位置，說明單向可控硅已經損壞。

雙向可控硅：

它是作為一種交流型進行功率成本控制系統器件。雙向可控硅的三個部分引腳分別是內部控制極，兩個主電極。由于企業雙向可控硅的兩個主電極是相對的，因此我們使用的過程中發現兩者之間可以通過互相學習任意一個轉換。檢測時，將萬用表調到Rx1Ω檔，黑筆接雙向可控硅主電極，紅筆接雙向可控硅的另一個主電極，這時候表針應該研究顯示為無窮大，這時，將控制極和第二個主電極短接一下，結果就是如果是表針向右偏并且能夠保持在十幾歐姆接觸位置，則表明存在雙向可控硅已經出現損壞。、

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可控硅器原理