可控硅是可控硅整流元件的簡稱，可控硅是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，通常由兩個可控硅反向連接組成。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。它不僅作為整流，還作為一個快速開關(guān)或切斷無觸摸開關(guān)；直流逆變器進(jìn)入交流；一種頻率的交流，以此類推。與其他半導(dǎo)體器件一樣，它具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作效率可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通、軍事研究和商業(yè)、民用電器等方面的采用元素。目前，可控硅被廣泛應(yīng)用于自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電器和家用電器等領(lǐng)域。

晶閘管的形狀有區(qū)別:主要有螺旋型、平底型和平底型三種. 螺旋型更適用。

　　可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN 結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。可控硅應(yīng)用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

我們可以把從陰極開始的第一、二、三層看成一個NPN晶體管，而第二、三、四層構(gòu)成另一個PNP晶體管。其中，二層和三層由兩個重疊的管道共用。可以畫出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加一個直流電壓E，在控制電極G和陰極C(相當(dāng)于BG2的基極-發(fā)射極)之間輸入一個正的觸發(fā)信號時，BG2會產(chǎn)生基極電流Ib2，放大后BG2會有一個放大β2倍的集電極電流IC2。因為BG2的集電極連接到BG1的基極，所以IC2是BG1的基極電流Ib1。BG1將Ib1(Ib2)中β1放大的集電極電流IC1送回BG2基極放大。循環(huán)放大，直到BG1和BG2完全打開。事實上，這個過程是“爆炸性”的。對于晶閘管，觸發(fā)信號施加到控制電極，晶閘管立即導(dǎo)通。導(dǎo)通時間主要取決于可控硅的性能。

　　可控硅一經(jīng)通過觸發(fā)導(dǎo)通后，由于發(fā)展循環(huán)進(jìn)行反饋的原因，流入BG2基極的電流模式已不僅僅只是一個初始的Ib2 ，而是需要經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一工作電流影響遠(yuǎn)大于Ib2，足以可以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。