晶閘管智能穩壓模塊: 是一種以晶閘管(power electronic power power device)為基礎，以智能數字控制電路為核心，可控硅調節器、晶閘管穩壓器、功率調節器、功率調節器、功率控制器的功率控制電器。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。本實用新型具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等優點。

智能可控硅調壓模塊的原理:

1.整流電路設計采用橋式整流，將220伏，50赫茲技術交流工作電壓變為一個脈沖直流電。

2.抗干擾電路是一種普通的電源抗干擾電路。

3.晶閘管控制電路由晶閘管和降壓電阻組成。

4.張弛振蕩器由一個晶體管和一個電阻器組成。

5.充放電電路由電阻、可變電阻和電容組成。

可控硅進行智能調壓功能模塊由可控整流部分電路和觸發設計電路分為兩部分內容組成，其電路原里圖如下圖數據所示。從圖中我們可知，二極管D1-D4 組成橋式整流輸出電路，雙基極: 二極管T1構成張弛振蕩器可以作為實現可控硅的同步觸發檢測電路。當調壓器接上市電后，220V 交流電直接通過網絡負載電阻RL 經二極管D1-D4 整流，在可控硅可控硅 的A、K 兩端之間形成自己一個社會脈動直流輸入電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為學生觸發保護電路的直流電機電源。在交流電的正半周時，整流電壓技術通過R4、W1對電容C充電。當充電電池電壓UC 達到T1管的峰值電流電壓UP時，T1管由截止狀態變為導通，于是利用電容C通過T1管的e、b1結和R2 迅速提高放電，結果在R2 上獲得發展一個尖脈沖。這個過程中脈沖方式作為企業控制相關信號信息送到可控硅可控硅的控制極，使可控硅導通。可控硅導通后的管壓降很低，一般都是小于1V,所以需要張弛震蕩器停止學習工作。當交流電或者通過兩個零點是，可可控硅自關斷，當交流電在負半周時電容C又從新中國充電。如此周而復始，便可及時調整文化負載RL上的功率了。