晶閘管，又稱晶閘管，是硅整流裝置中的主要裝置。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。它可以在很多場合使用。在不同的場合、電路和負載條件下，可以選擇晶閘管的重要參數，使器件運行更好、壽命更長。

1.選擇正反向電壓

可控硅在門極無信號，控制電流Ig為0時，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗狀態，稱為正向阻斷狀態，若增大UAK而達到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉為導通，這個VBO值稱為正向轉折電壓，這種導通是非正常導通，會減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時，器件的一和三PN結（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態。當加大反向電壓達到一定值VRB時可控硅的反向從阻斷忽然轉變為導通狀態，此時是反向擊穿，器件會被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復施加而變小。在感性負載的情況下，如磁選設備的整流裝置。在關斷的時候會產生很高的電壓（ ∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會損壞可控硅。因此，可控硅也必須有足夠的反向耐壓VRRM。

可控硅在變流器（如電機車）中工作時，必須自己能夠以電源系統頻率進行重復地經受到了一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓技術參數VDRM、VRRM應保證在正常生活使用不同電壓達到峰值的2-3倍以上，考慮到學生一些問題可能會導致出現的浪涌電壓環境因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數可以選取。

2. 選擇額定工作電流參數

晶閘管額定電流為一定條件下的通態均勻電流IT，即在+40 ℃ 環境溫度和規定的冷卻條件下，器件處于單相工頻正弦半波電路中，電阻負載下導通角不小于70 ℃。 額定結溫穩定時允許通態均勻電流。 一般變頻器工作時，各臂晶閘管的電流系數不均勻。 在大多數情況下，晶閘管不可能在170 ℃ 的導通角下工作，通常小于該導通角。 因此，晶閘管的額定電流必須選擇得稍大一點，它應該是正常電流均勻性值的1.5-2.0倍。

3.選擇關斷時間

如果在陽極電流降至0之后立即加上正極電壓，即使沒有柵極信號，晶閘管也會再次導通，如果在再次加上正極電壓之前，設備經過一段時間的反向偏置電壓，不會誤導設備啟動，也就是說，在晶閘管關斷后恢復其閉鎖能力需要一定的時間。從電流通過 o 到正向電壓能夠中斷的時間間隔為晶閘管的關斷時間 tg，它由反向恢復時間 t 和門極恢復時間 t 組成。普通晶閘管的 tg 為150ー200μs，可用于一般的電力混頻器，但在大感性負載的情況下可以作出一些選擇。