觸發驅動問題

作為開關裝置，當觸發脈沖的持續時間較短時，脈沖幅值必須相應地增大，脈沖寬度也取決于陽極電流達到保持電流的時間。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。在該系統中，由于感知負載的存在，陽極電流的上升率較低，如果不施加寬脈沖來觸發，感知負載往往無法維持。考慮到負載的高靈敏度，該系統采用高水平的觸發器，其缺點是可控硅損失太大。

　　可控硅阻斷問題

　　可控硅是一種開關器件，應用過程中，影響關斷時間的因素有結溫、通態電流及其下降率、反向恢復電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結溫及反向電壓影響較大，結溫愈高，關斷時間愈長;反壓越高，關斷時間愈短。

在系統中，由于感性負載的存在，當換相發生時，電感上會產生很大的反電動勢。這種異常電壓施加在晶閘管兩端，容易造成晶閘管損壞。為了防止這種情況，通常使用浪涌電壓吸收電路。

　　dv/dtdi/dt效應分析問題

當dv/dt的斷態電壓臨界上升速率較大時，可以在遠低于其正轉向電壓的電壓下傳導。如果電路上的dv/dt超過了設備允許的dv/dt值，可控硅就會誤導它并失去阻塞能力。在應用電路中，可控硅的柵極通過電阻連接到陰極，從外部繞過位移電流，以防止由dv/dt引起的誤導性通信。

　　di/dt過大容易造成可控硅擊穿，在電路中采用前沿陡的高電平觸發以增大初始導通面積，從而改善di/dt容量。

由于 dv/dt 過大和 di/dt 過大，晶閘管擊穿非常嚴重。通過電路原理可以看出，這種情況會使變壓器短路并產生“循環”，導致可控硅甚至變壓器損壞。在電路設計中，采用了可靠的可控硅開關檢測措施，避免了這種現象的發生。

過壓和過流保護措施

　　過電壓的產生，主要有通過以下主要原因：

　　(1)變壓器投入時的浪涌電壓;

       (2)變壓器分接開關產生的浪涌電壓；

　　(3)雷擊侵入時的浪涌電流電壓;

       (4)DC電路斷開時產生的浪涌電壓。

　　在電路中，加入浪涌吸收器可以通過吸收變壓器進行一次信息系統研究電磁技術轉移而侵入的浪涌電壓，同時我們還能有效吸收變壓器通斷時產生的磁能。為避免出現雷擊侵入活動產生的浪涌電壓，可采用半導體避雷器。

消除循環是調節器的一個關鍵問題。為了解決這個問題，我們采取了以下技術措施：

（1）確保晶閘管觸發信號可靠。