晶閘管智能運行脈沖系統存在兩種干擾。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 一是脈沖系統中的相互干擾。 二是外部干擾源對脈沖系統的干擾。

脈沖系統中的相互干擾主要是由共用電源和地線引起的。結果表明，一個脈沖的峰值干擾信號出現在與另一個脈沖相對應的時刻。這是因為各種脈沖共享一組能量，在脈沖觸發器中，功率較大，功率波形較低。同時，在地線上產生強烈的脈沖電流，在地線上兩點之間造成干擾“毛刺”。如果地面處理不當，干擾“毛刺”將通過地面傳遞到脈沖信號的另一個方向。造成這種干擾的另一個原因是印刷電路板或插槽上兩條平行信號線之間的電容耦合。

外部干擾源對脈沖系統的干擾主要有兩種。一是設備內部信號，如脈沖控制柜內的其他強電信號等。二是外部環境，如大電弧電流產生的強電磁場的劇烈變化、強交變電磁場、大功率整流電路移相控制產生的諧波、斷路器分合閘過程中產生的過電壓等。這些干擾主要通過信道傳輸和電磁耦合對脈沖系統產生干擾。