使用注意事項

選擇晶閘管額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓，并留有一定的余量。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

1.在選擇晶閘管額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應考慮導通角的大小以及散熱和通風條件。還應該注意的是，外殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2.在使用可控硅之前，您應該使用萬用表檢查可控硅是否處于良好狀態。如有短路或斷路，應立即更換。

3.嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查工作元件的絕緣技術情況。

4.電流在5A以上的可控硅器應配備散熱器，并確保規定的冷卻條件。為了確保散熱器與硅酮控制管中心的良好接觸，應在它們之間涂上一層薄薄的硅油或硅脂，以幫助實現良好的散熱。

5. 主回路晶閘管按規定采用過壓、過流保護裝置。

6.防止晶閘管控制電極正向過載和反向擊穿。

損壞原因判別

當可控硅損壞后需要檢查分析時，可以從冷卻套中取出模具，打開芯盒，然后取出芯片，觀察損壞痕跡，確定原因。下面介紹幾種常見現象的分析。

1.電壓擊穿。可控硅因不能直接承受工作電壓而損壞，其芯片設計中有這樣一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因分析可能是管子公司本身進行耐壓能力下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

2.電流損壞。電流損傷痕跡的特征是芯片被燒成一個坑，遠離控制極。

3.當前上升率損害。 跡線與電流損傷相同，并且位于柵極附近或柵極上。

4.邊緣損傷。發生在芯片的一角，有細小光滑的洞。使用放大鏡，你可以看到倒角表面上細小的金屬劃痕。這是由于制造商的安裝不小心造成的。會導致電壓崩潰。