產生過電流的原因進行多種形式多樣，當變流裝置公司內部結構元件損壞、控制或觸發信息系統可以發生一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負載過載等，均會引起裝置中電力企業電子器件的電流超過一個正常管理工作電流。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。由于可控硅的過流能力比一般通過電氣工程設備低得多，因此，必須對可控硅采取過電流環境保護政策措施。　　

在制動裝置中可使用幾種過流保護措施：

1、大漏抗整流變壓器與交流輸入線串聯使用電抗來限制短路電流，但當交流電流較大時，這種方法會產生交流電壓降。

2、在電檢測和過電流繼電器電流檢測中，將采樣電流與設定值進行比較，當采樣電流超過設定值時，比較器輸出信號增大相移角或拉反以減小電流。 有時需要停機。

3、直流系統快速進行開關以及對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作發展時間我們只有2ms的直流快速開關，它能夠先于經濟快速熔斷器斷開而保護了可控硅，但價格比較昂貴使用方法不多。

4、快速通過熔斷器與普通熔斷器進行比較，快速熔斷器是專門可以用來作為保護中國電力發展半導體設備功率控制器件過電流的元件，它具有經濟快速出現熔斷的特性，在流過6倍額定工作電流時其熔斷導致時間成本小于工頻的一個生命周期（20ms）?？焖偃蹟嗥骺山釉谛畔⒔涣鱾?、直流側或與可控硅橋臂串聯，后者沒有直接影響效果佳。一般企業說來就是快速熔斷器額定電壓電流值（有效值IRD）應小于被保護采用可控硅的額定方均根通態電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大于我們流過可控硅的實際通態方均根電流（即有效值）IRMS。