可控硅設(shè)備管理通常都是非正弦電流，可控硅普遍發(fā)展存在導(dǎo)通角的問題進(jìn)行而且工作負(fù)荷電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定影響因素，且可控硅芯片抗電流沖擊能力水平比較差，在選取一個(gè)模塊通過電流規(guī)格時(shí)一定留有具有一定余量。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。推薦我們選取研究方法可根據(jù)下列公式換算：

IKI加載U大于實(shí)際的U

K：安全系數(shù)，電阻負(fù)載K=1.5，電感負(fù)載K=2；

負(fù)載: 負(fù)載流量較大的電流; 實(shí)際: 負(fù)載上的最小電壓;

U larger:模塊能輸出的電壓越大；(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其他規(guī)格為1.0倍)；

I：需要我們選取可控硅的最小電流,模塊標(biāo)稱的電流進(jìn)行一定程度大于該值。

模塊散熱條件的水平直接影響設(shè)備的使用壽命和短時(shí)間過載水平，溫度越低，模塊的輸出電流越大，因此使用散熱器和風(fēng)扇，建議選擇具有過熱保護(hù)功能的設(shè)備，水冷散熱條件首先選擇水冷散熱。通過嚴(yán)格的計(jì)算，我們已經(jīng)確認(rèn)了不同型號(hào)的散熱器型號(hào)，推薦選擇支持散熱器和風(fēng)扇的廠家，并按照以下原則進(jìn)行選擇：

1. 軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s；

2.當(dāng)模塊正常工作時(shí)，確保冷卻底板的溫度小于80 ° c;

3.當(dāng)可控硅負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器尺寸或采用自然冷卻；

4.選用自然發(fā)展方式進(jìn)行冷卻時(shí)散熱器四周的空氣能實(shí)現(xiàn)中國自然環(huán)境通風(fēng)并適當(dāng)增大散熱器面積;

5.全部緊固可控硅的螺栓一定扭緊，壓線端子連接穩(wěn)固，以減少次生熱量的出現(xiàn)，模塊底板和散熱器之間一定要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一塊底板尺寸的傳熱墊，以保持良好散熱作用。