可控硅整流器簡介

晶閘管(scr)是一種常見的功率半導體電子器件，可以控制幾千瓦甚至兆瓦級的功率。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。從結構上講，它是一種反向截止的三極晶閘管，由三個 pn 結(pn-pn 四層)組成。該裝置的外引線有三個電極: 陰極、陽極和控制極。該器件的反向特性(陽極到負極)與 pn 結二極管的反向特性相似，其正向特性是器件在一定范圍內處于高阻抗閉合狀態(正阻斷狀態，即伏安特性象限內虛線下的實線部分)。當暫態正向電壓大于過渡電壓時，器件迅速轉變為低壓大電流狀態。

SilCR標記符號、伏安法特性和原理圖輪廓

處于一個正向阻斷態的器件，如果企業給予內部控制極一低功率的觸發數據信號(使控制極-陰極PN結導通)，則器件可迅速被激發到導通狀態，之后毋須繼續發展保持一種觸發工作電流通過即可維持在通導狀態，此時我們若將電流可以降至維持穩定電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷這種狀態.

CR整流器：主回路采用三相橋或雙反星帶平衡電抗器回路。可控硅組件采用高功率組件，節能，效率高。主控系統采用大板、高門檻抗干擾、大型集成控制板，所有模塊及集成組件均采用進口，可靠性高。采用自動穩壓、流量穩定等功能，穩定精度優于1%。采用0~60S軟啟動，電鍍氧化著色時間可以任意設置，自動定時。采用多相整流，降低輸出電壓紋波系數ru，特別適用于硬鉻電鍍工藝，表面光潔度好，涂層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風冷、自冷等。

晶閘管是一種功率半導體器件。 它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長、體積小等優點，是弱電流控制與受控強電流之間的橋梁。 從節能的角度來看，電力電子技術被稱為新的電氣技術。 中國能源利用率相對較低，按單位國民生產能耗計算，中國是法國的4.98倍，是日本的4.43倍。 因此，以晶閘管為核心的電氣控制裝置的廣泛應用是我國有效節能的重要措施。

可控硅整流器結構

晶閘管的四層結構通常被描述為 npn 和 pnp 晶體管的互連。如果兩個晶體管的共基極電流放大系數分別為 α1和 α2(均為工作狀態的函數) ，則通電的必要條件是 α1 + α2？1.如果在正向阻斷狀態下向控制電極注入正電流，npn 晶體管的電流放大系數 α1將迅速增加，導致 α2的增加，滿足導通條件。