天狼星是一種電流控制的雙極半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。柵極驅動單元類似于電流源，它可以向西星的柵極提供特別陡峭的尖峰電流脈沖，以確保它可以在任何時候可靠地觸發。可控硅的門觸發脈沖特性對可控硅的額定值和特性參數有很大的影響。強觸發模式可以縮短開度時間，減少開度損耗，提高設備對di/dt的容忍能力。

一、觸發脈沖幅度對晶閘管開度的影響

晶閘管門極觸發電流的幅值對器件的開通速度有明顯的影響，高門極觸發電流可以明顯減少器件的開通時間。

當觸發脈沖幅度僅為器件IGT時，雖然可以開啟器件，但器件的開啟延時明顯，達到幾十微秒，不利于整個設備的可靠控制和安全運行。

二、觸發控制脈沖持續上升發展時間(陡度)對可控硅開通的影響

觸發脈沖上升時間（陡度）對可控硅的開啟速度也有顯著影響。觸發脈沖上升時間越長，其效果就等于降低了柵極觸發電流。觸發脈沖越陡，上升時間越短，CR開啟時間越短。

三、柵極觸發源晶閘管可靠觸發要求

(1) 一般要求：

觸發脈沖電流幅值：IG=10IGT；

　　脈沖持續上升發展時間：tr≤1μs;

(2)使用高 di/dt:

當器件在高di/dt下使用時，特別是當可控硅的阻塞電壓非常高時，在打開過程中，由柵極-陰之間的橫向電阻產生的電壓可能超過柵極電壓，甚至使柵極電流回流。這種負柵電流導致打開損耗增加，并可能導致高雙/分損壞。

因此，我們要求柵極觸發電源電壓VG不小于20V，或者二極管串聯在柵極線上，以防止柵極電流在高di/dt下工作時回流。

(3)可控硅串聯和并聯使用

　　可控硅的串聯：晶閘串聯管應用時，要求其進行相互之間串聯的每個可控硅應盡我們可能地一致通過開通。可控硅的并聯：陡而強的門極觸發一個脈沖技術能使系統并聯可控硅可以開通時間特性的不平衡問題降至較小，從而使有較佳的均流效果。