可控硅鑒別能力三個(gè)極的方法可以很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬(wàn)用表測(cè)量分析一下我們?nèi)齻€(gè)極之間的電阻值就可以通過(guò)判斷設(shè)計(jì)出來(lái)。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

陽(yáng)極和陰極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐，陽(yáng)極和控制電極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐(它們之間有兩個(gè)p-n結(jié)，方向相反)，因此陽(yáng)極和控制電極的正和負(fù)方向不切換。

在控制電極和陰極之間存在P-N結(jié)，因此其正向電阻的范圍從幾歐姆到幾百歐姆，并且反向電阻大于正向電阻。 然而，柵極二極管特性并不理想，反向沒(méi)有完全被阻擋，可以通過(guò)相對(duì)大的電流，因此測(cè)量的柵極反向電阻有時(shí)相對(duì)小，并不意味著柵極特性差。 此外，當(dāng)測(cè)量控制極正向和反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放置在R*10或R*1中，以防止電壓過(guò)高的控制極反向擊穿。

如果元件存在正負(fù)短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極和陰極短路，或控制極和陰極開(kāi)路，則該元件已損壞。

晶閘管分為單向晶閘管和雙向晶閘管，兩者均為三電極。單向可控硅具有陰極(k)、陽(yáng)極(a)、控制電極(g)。雙向晶閘管相當(dāng)于兩個(gè)單項(xiàng)晶閘管反向并聯(lián)。單向硅陽(yáng)極的一側(cè)與陰極的另一側(cè)相連，其前端稱為 t2極。一個(gè)單向硅陰極的前端與另一個(gè)陽(yáng)極相連，其前端稱為 t2極，其余為控制極(g)。

　　1、單、雙向控制可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對(duì)單向通過(guò)可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對(duì)雙向調(diào)節(jié)可控硅）。若其中有一個(gè)一次進(jìn)行測(cè)量工作指示為幾十至幾百歐，則必為單向使用可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下部分即為A極。若正、反向測(cè)批示精神均為中國(guó)幾十至幾百歐，則必為雙向電路可控硅。再將系統(tǒng)旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中存在必有自己一次不同阻值變化稍大，則稍大的一次老師紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。

      2、性能差異: 旋轉(zhuǎn)旋鈕至 r × 1，對(duì)于1 ~ 6a 單向可控硅整流器，紅筆至 k 極，黑筆至 g 極，同時(shí)保持黑筆從極狀態(tài)到斷極，指針應(yīng)指示數(shù)十至100歐元，此時(shí)晶閘管已被觸發(fā)，觸發(fā)電壓較低(或觸發(fā)電流較小)。然后立即關(guān)閉 a 極，并將指針?lè)祷氐健尬恢茫砻骶чl管工作正常。

對(duì)于1-6A三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)，紅色筆連接到T1極，黑色筆同時(shí)連接到G極和T2極，并且在黑色筆不偏離T2極的前提下斷開(kāi)G極。 指針應(yīng)指示幾十到一百多歐姆（取決于晶閘管電流，取決于制造商）。 然后調(diào)整兩個(gè)沖程并重復(fù)上述步驟一次。如果指針比前一個(gè)指針大10到10歐姆，則晶閘管良好，觸發(fā)電壓（或電流）較小。