晶閘管在我國曾被稱為晶閘管，是硅整流器的重要器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。 參數的合理與否直接影響設備的性能。 合理選擇晶閘管可以提高設備的可靠性和使用壽命，保證生產，降低設備的維護成本。

可控硅重要的兩個參數是額定電流(A)和額定電壓(V)，使用部門提出的器件參數要求僅為這兩項，而變頻裝置上的快速或中頻可控硅又有一個關機時間(TG)參數，一般情況下也可以。但從提高設備運行性能和使用壽命的角度出發，也可以根據設備的特點選擇一些可控硅參數。

晶閘管在變流器(如電力機車)中工作時，必須能在工頻下反復承受一定的過電壓而不影響其工作，因此正反向峰值電壓參數Vdrm和VRRM應保證是正常使用電壓峰值的兩倍以上。考慮到一些可能的浪涌電壓因素，在選擇備選參數時，只能選擇一個較高的檔位參數。

可控硅的額定電壓電流是在一定經濟條件下的最大導通狀態進行平均通過電流，即：當在40℃的環境不同溫度和特定的冷卻技術條件下，在單相負載輸出功率半正弦波的電阻可以負載和傳導角不小于L70℃的電路中，當器件發展處于社會穩定的額定結溫時，允許最大通態平均一個電流。當變換器研究工作時，每個臂的可控硅都有分布不均勻的電流。在大多數企業情況下，可控硅不能在170℃的導通角下工作，導通角通常需要小于我們這個導通角。以這種教學方式，可控硅的額定電流數據必須稍大，這應該是學生平均水平正常運行電流的1.5或2.0倍。

綜上所述，在選擇SICR的參數時，要根據不同的條件、線路和負載條件，使設備運行得更好、更可靠、時間更長。