可控硅(可控硅整流器)是一種大功率電氣元件，又稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長的優點。在自動控制系統中，它可以作為大功率驅動裝置，用小功率控制器控制大功率設備。它已廣泛應用于交流/DC電機調速系統、功率調節系統和伺服系統。

　　可控硅可分為單向可控硅和雙向可控硅。雙向可控硅又叫三向雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這個可控硅具有雙向導通功能。它的開關狀態由柵jiG決定，給控制電jiG加一個正脈沖(或負脈沖)可以使它正向(或反向)導通。這種器件的優點是控制電路簡單，不存在反向耐壓問題，特別適用于交流無觸點開關。

　　可控硅由于無法承受電壓而損壞，其芯片上有一個光潔的洞，有時需要放大鏡才能看到。原因可能是燈管本身的壓降，也可能是電路斷開時產生的高壓擊穿。

　　電流損傷的痕跡表現為芯片被燒成坑狀，坑狀粗糙，位置遠離控制電ji。

　　其痕跡與電流損傷相同，位置在控制電ji附近或正上方。

　　它發生在芯片的外圓倒角處，有光潔的小孔。用放大鏡可以看到倒角面上細小的金屬劃痕。這是由于制造商安裝不小心造成的。會導致電壓擊穿。

　　晶閘管對過電壓非常敏感。當直流電壓超過其關態重復峰值電壓UDRM一定值時，晶閘管會產生誤導，導致電路故障。當施加的反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管將立即損壞。因此，有必要研究過電壓產生的原因和yizhi過電壓的方法。

　　過電壓主要是由于系統所提供的電功率或儲能發生劇烈變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原本積累的電磁能量無法耗散。主要發現雷擊等外部沖擊引起的過電壓和開關開合引起的沖擊電壓兩種類型。雷擊或高壓斷路器動作引起的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓峰值，對晶閘管是非常危險的。

　　由于半導體器件體積小，熱容量小，特別是像晶閘管這樣的高壓大電流功率器件，bixu嚴格控制結溫，否則會損壞。當大于額定值的電流流過晶閘管時，熱量來不及散發，導致結溫迅速升高，zui終會導致結層被燒壞。

　　造成過流的原因有很多，例如:變頻器本身的晶閘管損壞、觸發電路故障、控制系統故障等。、交流電源電壓過高、過低或異相、負載過載或短路、鄰近設備故障等。