晶閘管常用于電壓設(shè)備，有些設(shè)備是在高壓領(lǐng)域工作的，所以晶閘管不能承受高強(qiáng)度電壓，當(dāng)需要晶閘管串聯(lián)時(shí)，這樣可以達(dá)到良好的運(yùn)行效果，下面就談?wù)劸чl管串聯(lián)時(shí)的數(shù)量要求和注意事項(xiàng)。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

例如，如果施加在高壓整流臂兩端的電壓為10,000伏，則峰值電壓為14,100伏。如果正向和反向重復(fù)峰值電壓是4000伏，應(yīng)該串聯(lián)多少個(gè)晶閘管？

首先，晶閘管的反向重復(fù)峰值電壓是多少？正向和反向重復(fù)峰值電壓是晶閘管所能承受的較高電壓。這是工廠測試。我國標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以下條件: 1，在結(jié)溫125 ° c，2，pn 結(jié)雪崩電壓測量值減去100v，3，取以上較小值的兩個(gè)方向的方向?yàn)椤爸貜?fù)峰值電壓”。可以看出，工廠的電壓只有100v，在使用電網(wǎng)時(shí)，往往比基波峰值高出許多倍，甚至好幾倍。所以除了設(shè)計(jì)足夠的裕量外，還要非常小心地采取均壓和過壓保護(hù)措施，避免可控硅擊穿電壓的現(xiàn)象。

一、可控硅進(jìn)行串聯(lián)橋臂串聯(lián)器件數(shù)的確定

計(jì)算公式中：

KCU—過電壓沖擊系數(shù)，取1.3-----1.6，根據(jù)設(shè)備中過電壓保護(hù)措施的完備情況而定;

UAM臂的工作峰值電壓是指臂的正向峰值電壓UATM或反向峰值電壓UARM中較大者。

Kb11(kb)的電壓升高系數(shù)一般為1.05(1.1) ，在某些特殊情況下更高

KAU——電壓的設(shè)計(jì)裕度，一般為1-2，取決于裝置的可靠性和設(shè)備的可靠性要求；

KU——平均壓力系數(shù)，一般取0.8~0.9；

串聯(lián)器件額定重復(fù)峰值電壓。

二、實(shí)例計(jì)算

Kcu 采取1.4，因?yàn)殡娋W(wǎng)電壓沖擊更多;

UAM=14100V;

Kb取1.1;

KAU高壓的使用裕度為1.5；

KU=為0.85，均衡系數(shù)為中等；

URM=4000V

代入：

計(jì)算公式

結(jié)論是串聯(lián)使用104000VSIC。

三、晶閘管串聯(lián)后的問題

均勻電壓: 要求在每個(gè)晶閘管上均勻分布附加電壓，即每個(gè)器件分擔(dān)的電壓基本相同。

2.觸發(fā)信號的傳輸:由于每個(gè)晶閘管處于不同的電位，所以每個(gè)器件的觸發(fā)信號不可能有一個(gè)共同的零點(diǎn)。

3，同時(shí)可以觸發(fā)：上例中十只可控硅串聯(lián)，不允許學(xué)生個(gè)別器件不觸發(fā)，要不我們就會(huì)不斷發(fā)生改變高壓全加于這一只器件上，而導(dǎo)致該器件工作電壓擊穿。

以上是可控硅系列的要求和注意事項(xiàng)，希望對您有所幫助。