雙向可控硅的工作原理

晶閘管是P1N1P2N2四層三端結構元件，具有三個PN結，在分析原理時可以認為是由PNP管和NPN管組成。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 當正向電壓施加到陽極A時，BG1和BG2管都處于放大狀態。 此時，如果從控制電極G輸入正向觸發信號，則基極電流ib2流過BG2，被BG2放大，并且集電極電流ic2＝。 由于BG2的集電極直接連接到BG1的基極，所以ib1＝ic2。 此時，電流ic2再次被BG1放大，從而集電極電流ic1＝。 β 1ib1=。 該電流流回BG2的基極，并表現為正反饋，增加IB2。由于該正向饋送循環，兩個管中的電流急劇增加，晶閘管導通飽和。

由于 bg1和 bg2的正反饋效應，一旦晶閘管接通，即使控制極 g 的電流消失，晶閘管也能保持通態，使可控硅整流器不可拆卸。

　 由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化

　2,觸發導通

　 在控制極G上加入中國正向影響電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子產品進入P2區，形成一個觸發工作電流IGT。在可控硅的內部網絡正反饋促進作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安曲線特性OA段左移，IGT越大，特性進行左移越快。

1.可控硅控制的概念和結構？

晶閘管也叫晶閘管。 自20世紀50年代誕生以來，它已經發展成為一個主要由單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、關斷晶閘管和快速晶閘管組成的大家庭。 等等。 現在我們使用單向晶閘管，通常稱為普通晶閘管，它由四層半導體材料組成，有三個PN結，外部有三個電極：第一，從P型半導體引出的電極稱為陽極A，從P型半導體第三層引出的電極稱為控制電極G。 從第四層N型半導體引出的電極稱為陰極K。從晶閘管的電路符號[圖2（b）]可以看出，它是一個像二極管一樣朝一個方向導電的器件，關鍵是添加一個控制電極g，這使它具有與二極管完全不同的工作特性。

圖2

可控硅的主要工作特性

為了直觀的了解可控硅的工作特性，請看這個教學板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯，通過開關s連接到DC電源，注意陽極A是連接到電源的正極，陰極K連接到電源的負極，控制電極G通過按鈕開關SB連接到3V DC電源的正極(這里用的是KP5晶閘管，如果用KP1，要連接到1.5V DC電源的正極)。