晶閘管在電子工業中得到了廣泛的應用和發展。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。它已經應用于許多電子設備。不同設備中使用的晶閘管的類型也是不同的。以下晶閘管制造商將向您了解。

晶閘管的選型有許多種，應根據應用電路的具體要求合理選用。

如用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選擇普通硅可控控制。

　　若用于進行交流以及開關、交流調壓、交流系統電動機通過線性調速、燈具設計線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用一個雙向可控硅。

如用于交流電機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路，可選擇門極關閉可控硅。

用于鋸齒波發生器、長延時、過壓保護和大功率晶體管觸發電路時，可選用BTG晶閘管。

如果用于電磁爐、鎮流器、超聲波電路、超導儲能系統和開關電源電路，可以選擇反向傳導可控硅。

如果用在光電耦合器、光電探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路和自動化生產線的運行監控電路中，可選用光控可控硅。

　　2．選擇可控硅的主要技術參數可控硅的主要參數應根據實際應用系統電路的具體工作要求而定。

所選可控硅應具有一定的功率裕度，其額定峰值電壓和額定電流（電流平均電流）應為控制電路較大工作電壓和較大工作電流高1.5~2倍。

晶閘管的正向壓降、柵極觸發電流、觸發電壓等參數應滿足應用電路（>柵電極控制電路）各頂部的要求，不得高低，否則將影響晶閘管的正常運行。

以上就是選擇在不同的設備中選擇不同的類型，希望對大家有所幫助。