又稱硅器整流元件，是一種由三個P內部結構組成的高功率半導體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。在性能方面，CR具有單向導電性和可控性兩個優點，但它只有開和關兩種狀態。

晶閘管具有功率放大倍數的功能，可將數百功率放大到數千倍甚至幾萬倍，具有響應速度快、無火災、無噪聲、成本低、效率高的特點。 基于以上優點，晶閘管被廣泛應用于大功率、供電系統以及非接觸式輸出開關等電路中。

可控硅從外形上可以發展分為：平板形、平底行以及通過螺栓行這三種。

根據晶閘管的工作原理：

SiCR是一種四層三端器件，它有三個J1、J2、J3PN結，可將其NP分為兩部分，形成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管復合管。

當晶閘管受到正向陽極電壓作用時，受到反向電壓作用的 pn 結 j2必須失去阻斷作用，才能使晶閘管導通。每個晶體管的集電極電流也是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個晶體管電路是互相組成的。當柵極電流足夠大時，形成強正反饋，導致兩個晶體管的飽和導電。

說完這些，在說一下可控硅的工作條件有哪些：

由于可控硅只有導通和關斷兩種管理工作生活狀態,所以它具有開關特性,這種技術特性研究需要進行一定的條件我們才能轉化,此條件見表1。

（1）當可控硅承受反向負極電壓時，無論柵極承受什么電壓，它都會被關閉。

（2）晶閘管暴露于正向陽極電壓時，只有當柵極暴露于正向電壓時，晶閘管才導通

（3）當晶閘管通電時，只要存在一定的正極電壓，無論門極電壓是多少，晶閘管都保持通電狀態，那么門極就失去了作用。

（4）可控硅在導通情況下,當主回路工作電壓(或電流)減小到一個接近于零時,可控硅進行關斷。

以上問題就是通過可控硅的運用，你學會了嗎？

看看，看看：硅-o的使用情況

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