晶閘管，又稱晶閘管，是一種雙極半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 目前的晶閘管通常由硅材料制成。

晶閘管有3個 pn 結。Pn 結是半導體芯片的一個重要定義。它是在 p 型半導體和 n 型半導體區域建立的勢壘區。當半導體器件運行時，pn 結由于載流子(電子和空穴)的活動而變熱。Pn 結溫度稱為結溫。

當PN結溫度高到一定溫度時，P型和N型半導體的變化會使PN結的勢壘區消失，即半導體元件失去正常功能。此時的結溫稱為半導體元件的最高結溫。對于硅半導體芯片，最高結溫通常在150度以內。對于大功率半導體器件，為了運行更加安全可靠，通常需要想辦法改善其散熱特性(如安裝散熱片等。)，盡可能降低它們的結溫，防止它們超過最高結溫正常運行。特別是半導體元件的結溫與外部溫度不同，前者高于后者。

這就是可控硅的結溫，說白了就是中國半導體芯片運行的正常使用溫度，也會有極限思想工作環境溫度叫最高結溫，但通常都不要高于自己最大結溫，否則學生不能滿足正常經濟運行，所以功率大的的器件都加裝散熱器等裝置控制措施。