雙向可控硅的判斷方法
發布時間: 2023-01-12 10:08:44 人氣:303 次
雙向可控硅應用廣泛,但其電氣特性特殊,用萬用表有時很難準確測量其質量。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內3C認證。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。現在一個簡單的觸發電路就可以通過燈泡的開關來準確判斷可控硅的好壞。
方法說明:
1、如圖,第1腳是T1腳,第2腳是T2腳,第3腳是G腳,用萬用表1K電阻檔或二極管檔測量:T1--T2阻值達到無窮大,T1--G阻值在90--200毆之間,T2--G阻值產生無窮大(不管紅黑表筆放在如何通過對調)。
2、當由2英尺連接的開關打開時,燈泡不打開,當開關打開時,燈泡打開,開關關閉,燈泡關閉,硅膠控制良好。
3、當連接到光電耦合器針腳2的開關接通時,爆破器亮起(甚至稍亮),晶閘管壞。
當光耦2英尺連接的開關打開時,燈泡不亮。開關一打開,燈泡就亮了。一旦開關關閉,燈泡還亮著,晶閘管就壞了。
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