何謂可控硅觸發？

一、晶閘管是電流控制的雙極半導體器件，其中類似于電流源的柵極驅動單元可以向晶閘管的柵極提供特別陡的尖峰電流脈沖，以便確保在任何時間可靠地觸發該晶閘管。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 晶閘管的柵極觸發特性對晶閘管的額定值和特性參數影響很大。 可以縮短器件的導通時間，降低導通損耗，提高器件的抗di/dt能力。 觸發脈沖幅度對晶閘管導通的影響晶閘管柵極觸發電流幅度對器件導通速度的影響非常明顯，高柵極觸發電流可明顯縮短器件的導通時間。 當觸發脈沖幅度僅為器件IGT時，器件可以開啟，但開啟器件的時間延遲明顯，可達數十次，不利于整個設備的可靠控制和安全運行。 

二、觸發脈沖上升時間(陡脈沖)對晶閘管開啟的影響觸發脈沖上升時間(陡脈沖)對晶閘管開啟速度也有明顯影響，觸發脈沖上升時間越長，其效果是降低柵極觸發電流。 觸發脈沖越陡，上升時間越短，晶閘管的導通時間越短。 

三、晶閘管可靠觸發對柵極觸發源的要求1、一般要求：觸發脈沖電流幅值：IG=10IGT；脈沖上升時間：TR ≤ 1 μ s； 高di/dt操作：當器件在高di/dt下操作時，特別是當晶閘管阻斷電壓高時，在接通過程中由柵極到陰極橫向電阻產生的電壓可能超過柵極電壓，在嚴重情況下，甚至可能使柵極電流反向。 該負柵極電流導致導通損耗的增加，并且可能導致器件的高di/dt損壞。 因此，我們要求柵極觸發電源電壓VG不小于20V，或者二極管串聯在柵極線上，以防止柵極電流在高di/dt下工作時回流。 用于晶閘管串聯和并聯的晶閘管串聯：在串聯晶閘管的應用中，要求每個串聯的晶閘管盡可能均勻地導通。 晶閘管并聯：銳利、強的柵極觸發脈沖可使并聯晶閘管的開路特性的不平衡非常小，具有較好的均流效果。