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使用可控硅的十大準則

發(fā)布時間: 2022-12-29 09:38:08    人氣:301 次

眾所周知,晶閘管的應(yīng)用和優(yōu)點使其在電力工業(yè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內(nèi)3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。設(shè)備的壽命是有限的。因此,為了延長晶閘管的使用壽命,必須注意正確的使用標準,以下是晶閘管使用的10大原則。

       準則1

為了打開晶閘管(或三端雙向可控硅開關(guān)),必須有一個柵極電流≧IGT,直到負載電流達到≧IL。必須滿足這一條件,并根據(jù)可能遇到的較低溫度進行考慮。

  準則2

  要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載工作電流我們必須間,使能回復(fù)至截止狀態(tài)。在可能的運行環(huán)境溫度下必須能夠滿足企業(yè)上述研究條件。

  準則3

在設(shè)計雙向硅膠觸發(fā)電路時,應(yīng)盡可能避免使用3+象限(WT2-,+)。

       準則4

為了減少雜波吸收,柵極線長度減小到較低。 返回線直接連接到MT1(或陰極)。 如果使用硬線,則使用螺旋雙線或屏蔽線。 柵極與MT1之間的電阻1k Ω 或更小。 高頻旁路電容器及柵極間串聯(lián)電阻。 另一個解決方案是使用H系列低靈敏度triac。

  規(guī)則5

如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導(dǎo)致問題,則在 mt1和 mt2之間添加 rc 緩沖區(qū)。如果高的 dicom/dt 可能會引起問題,增加幾米電感和負載串聯(lián)。另一個解決方案,使用高通雙向可控硅。

  準則6

如果三端雙向可控硅開關(guān)的VDRM在嚴重和異常的電源瞬變過程中可能被超過,應(yīng)采取以下措施之一:在負載上串聯(lián)一個電感為幾μH的不飽和電感以限制它 u002FDT用MOV跨接電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。

  準則7

  選用好的門極觸發(fā)控制電路,避開3+象限工況,可以最大限度從而提高學(xué)生雙向可控硅的dIT/dt承受工作能力。

  準則8

如果可能超過雙向CR的dIT/dt,負載連接幾個H無芯電感或負溫度系數(shù)。另一種解決方案是在電阻性負載上使用零電壓傳導(dǎo)。

  準則9

當設(shè)備固定到散熱器時,避免對三端雙向可控硅開關(guān)施加應(yīng)力。 固定導(dǎo)線,然后焊接。 不要將鉚釘心軸放置在設(shè)備接口件的側(cè)面。

  準則10

為了長期可靠的運行,rthj-a 應(yīng)該保持足夠的低,以維持 tj 不高于 tjmax,相應(yīng)的可能的環(huán)境溫度。

這些是可控硅的使用指南。正確使用不僅可以延長可控硅的使用壽命,還可以保證可控硅的穩(wěn)定運行。


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