晶閘管(scr)是一種四層三端子 p1n1p2n2元件，具有三個 pn 結。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。經分析，可以認為是 pnp 管和 npn 管

當陽極A加上中國正向影響電壓時，BG1和BG2管均處于社會放大系統狀態。此時，如果從控制極G輸入進行一個具有正向作用觸發數據信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極輸出電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極之間直接與BG1的基極通過相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極最大電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個工作電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷發展增大，如此可以正向饋循環的結果，兩個不同管子的電流需求劇增，可控硅使飽和導通。

由于BG1和BG2所構成的正反饋促進作用，所以我們一旦可控硅導通后，即使進行控制極G的電流消失了，可控硅仍然需要能夠有效維持導通狀態，由于時間觸發一個信號只起觸發因素作用，沒有關斷系統功能，所以對于這種可控硅是不可關斷的。

由于它只有兩種工作狀態，它具有開關特性，需要一定的條件進行轉換

在控制極G上加入正向電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區的空穴時入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在可控硅的內部正反饋作用（見圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使可控硅提前導通，導致圖3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。