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如何區(qū)分晶閘管的損壞原因

發(fā)布時間: 2022-12-15 10:32:41    人氣:365 次

如何辨別可控硅的損壞原因?

 當可控硅損壞后需求可以查看學生剖析其緣由時,可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出一個芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗,通過歐共體CE認證,國際ISO9000認證,國內(nèi)3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。下面我們介紹以下幾種比較常見問題表象深入剖析。

電流損壞。電流損傷的痕跡的特征是芯片被燒成一個坑和粗糙,遠離控制桿。

電壓擊穿。可控硅(scr)被不可接受的電壓損壞,其芯片上有一個小的、發(fā)光的孔,有時可以通過擴展器看到。原因可能是電子管本身對電壓降的電阻或斷開電路時發(fā)生的高壓擊穿。

電流上升率損害。痕跡和電流損傷一樣,方向不是靠近控制桿,就是在控制桿上方。

邊緣損傷。它發(fā)生在芯片的外圓倒角處,有微小的亮孔。用放大鏡可以看到倒角面上細小的金屬劃痕。這是由制造商的粗心大意造成的。它會導(dǎo)致電壓崩潰。

以上4種緣由這些都是通過可控硅的常見問題損壞緣由,遇到可控硅損壞其他事情,應(yīng)鎮(zhèn)定剖析。


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