可控硅是設(shè)備電路中最基本、最重要的元件。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管的質(zhì)量決定了設(shè)備的運(yùn)行質(zhì)量和安全性。在這方面，在購(gòu)買(mǎi)和使用可控硅元件之前，應(yīng)對(duì)可控硅元件的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)和判斷。判斷可控硅元件質(zhì)量的方法有很多，以下是四種常用的方法來(lái)解釋:

判斷自己一個(gè)可控硅元件之間是否可以完好，工程師需要從以下四個(gè)發(fā)展方面問(wèn)題進(jìn)行分析檢查，首先是作為判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠有效阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向影響連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上中國(guó)正向工作電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足學(xué)生以上研究四個(gè)經(jīng)濟(jì)條件的可控硅元件，才是企業(yè)符合教學(xué)設(shè)計(jì)過(guò)程中使用技術(shù)要求的。

要了解可控硅元件是否滿足上述要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量可控硅的極間電阻，就可以判斷前三個(gè)方面的質(zhì)量。具體操作方法為：使用R1k或R10k測(cè)量陰極與陽(yáng)極之間的正向電阻和反向電阻（控制極不連接到電壓），這兩個(gè)電阻值應(yīng)該很大。電阻值越大，正、負(fù)漏電流越小。如果測(cè)量的電阻很低或接近無(wú)窮大，可控硅已經(jīng)短路或開(kāi)路，并且可控硅不能使用。

接下來(lái)，需要檢測(cè)柵極和陰極之間的PN結(jié)是否損壞。 我們可以用萬(wàn)用表的R~1k或R~10k來(lái)測(cè)量陽(yáng)極與控制電極之間的電阻，正向和反向測(cè)量的電阻應(yīng)大于幾百千歐，如果電阻很小，晶閘管就會(huì)擊穿。 用R1k或R100測(cè)量控制電極和陰極之間PN結(jié)的正向和反向電阻約為數(shù)千歐姆。如果正向電阻接近零或無(wú)窮大，則控制電極和陰極之間的PN結(jié)被損壞。 反向阻力應(yīng)該很大，但不是無(wú)限的。 通常，反向阻力明顯大于正向阻力。

如果要確定晶閘管是否因故障而損壞，工程師可以使用萬(wàn)用表電阻 r × 1塊，然后用黑筆到陽(yáng)極，紅筆到陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)移動(dòng)。當(dāng)紅色表連接到陰極，黑色表連接到控制電極時(shí)，萬(wàn)用表的電阻指針應(yīng)偏向右側(cè)，電阻讀數(shù)約為10歐姆。如果陽(yáng)極到黑色表筆，陰極到紅色表筆，萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)，表明單向可控硅有擊穿損壞。