硅酮控制整流器是一種以可控硅控制器（電力電子電力裝置）和智能數字控制電路為核心的電源控制裝置。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。它具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等優(yōu)點。

晶閘管（晶閘管）是晶閘管的縮寫，也稱為晶閘管整流器（可控硅整流器-可控硅），以前稱為晶閘管。 由于其所能承受的電壓和電流容量在當前的電力電子器件中仍然較高，并且工作可靠，因此在大容量的應用中仍然具有相對重要的地位。

自20世紀50年代問世以來，它已發(fā)展成為一個大家族，其主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光學晶閘管、反向導通晶閘管、關斷晶閘管、快速晶閘管等。現(xiàn)在我們使用單向可控硅整流器，通常稱為普通可控硅整流器，它由四層半導體材料組成，有三個 pn 結，有三個外部電極(圖2(a)) : 第一個 p 型半導體引到一個陽極 a，第三個 p 型半導體引到一個控制電極 g，第四個 n 型半導體引到一個陰極 k，從可控硅的電路符號(圖2(b)可以看到，這是一個單向器件，像二極管導電。關鍵點是增加了一個控制極 g 這使得它的工作方式完全不同于二極管。

可控硅整流器的工作基本原理

可控硅是P1N1P2N2四層三端結構設計元件，共有以下三個PN結，分析工作原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成

當陽極A加上正向電壓時，BG1管和BG2管都被放大。在這一點上，如果從屬控制

當正觸發(fā)信號輸入到柵極G時，基極電流ib2流過柵極BG2，柵極BG2放大了基極電流ib2，集電極電流ic2＝β 2ib2。 由于BG2的集電極直接連接到BG1的基極，所以ib1＝ic2。 此時，電流ic2再次被BG1放大，從而集電極電流ic1＝。 β 1ib1=。 該電流流回BG2的基極，并表現(xiàn)為正反饋，增加IB2。由于該正向饋送循環(huán)，兩個管中的電流急劇增加，晶閘管導通飽和。

由于 bg1和 bg2的正反饋效應，一旦晶閘管接通，即使控制極 g 的電流消失，晶閘管也能保持通態(tài)，使可控硅整流器不可拆卸。

可控硅整流器的結構

◆從外觀上看，可控硅也主要有兩種封裝結構:插銷式和扁平式。

◆引出一個陽極A、陰極K和門極(控制端)G三個系統(tǒng)聯(lián)接端。 ◆內部是PNPN四層半導體產業(yè)結構。