晶閘管也被稱為晶閘管。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。目前主要采用雙向晶閘管。它具有體積小、結構相對簡單、功能強、重量輕等優點，但也具有過載和抗干擾能力差的缺點，在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，本文就如何避免可控硅的缺點進行了說明。

一、　靈敏度

三端雙向可控硅開關是一個三端元件，但我們不再把它的兩極稱為陽極和陰極，而是T1和T2極，G是控制極。無論是正觸發脈沖還是負觸發脈沖，施加到其控制極的電壓都可以使控制極導通。在圖1所示的四種情況下，三端雙向可控硅都可以被觸發導通，但觸發靈敏度各不相同，即保證三端雙向可控硅可以導通的較小的柵極電流IGT是不同的。其中，(a)觸發靈敏度較高，(b)觸發靈敏度最低。為了保證觸發并盡可能限制柵極電流，應選擇(c)或(d)的觸發模式。

二、 可控硅過載的保護

可控硅優點就是很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會影響造成這些元件損壞，因此為基礎保證系統元件可以正常管理工作，需有一定條件(1)外加電壓下允許企業超過一個正向發展轉折電壓，否則內部控制極將不起作用;(2)可控硅的通態平均電流從安全技術角度分析考慮學生一般按較大不同電流的1.5～2倍來取;(3)為保證質量控制極可靠觸發，加到成本控制極的觸發電流能力一般取大于其額值，除此以外，還必須積極采取有效保護政策措施，一般對過流的保護主義措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定輸出電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在文化交流側或直流側，當在學習交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發生在社會存在電感的電路上，或交流側出現一些干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程中所產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用研究時間短，常采用這種電阻和電容吸收其他電路設計加以抑制。

三、控制大電感負荷時電網的干擾和自干擾

當晶閘管控制大的感性負載時，存在干擾電網和自干擾的現象，因為當晶閘管控制連接到感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流路徑被切斷， 變化率是如此之大，以至于在電感器兩端產生高電壓，該高電壓通過電源的內阻施加在開關觸點兩端，然后感應電壓被一次又一次地放電，直到感應電壓低于放電所需的電壓，在該過程中產生非常大的脈沖束。 這些脈沖束疊加在電源電壓上并且將干擾傳輸到電源線或者以輻射的形式傳輸到周圍空間，這種脈沖具有非常高的幅度、非常寬的頻率，因此具有感性負載的開關點是非常強的噪聲源。

1.為了防止或減少噪聲，移相控制交流穩壓的常用方法有電感電容濾波電路、電阻電容阻尼電路、雙向二極管阻尼電路等。