可控硅(scr)是一種硅元件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。硅元件的共同特點是過載能力差，在使用過程中容易燒毀。為什么會這樣？

下面可控硅廠家跟大家探討一下可控硅燒壞的具體原因:

可控硅燒壞大多企業都是由溫度要求過高造成的，而溫度是產品的電特性、熱特性、結構設計特性可以決定的，因此在進行研制、生產發展過程中的產品服務質量應這三方面入手，而且學生三者是密不可分的。

因此，在開發和生產過程中應充分考慮電應力、熱應力和結構應力。有很多原因，一般或三一起使產品燃燒，單一特性下降很難導致制動管燃燒，所以我們可以在生產過程中充分利用這個特性，也就是說，如果其中一個應力不能滿足要求，可以改善另外兩個應力來彌補。

通常，在陰極表面或芯片邊緣上存在小的黑點，這表明損壞是由電壓引起的，并且電壓引起損壞的原因有兩個。 電壓故障包括早期故障、中期故障和晚期故障。 二是線路問題，線路產生過電壓，并采取了故障保護措施。

根據各相參數，頻繁事故參數為電壓、電流、 dv/dt、 di/dt、漏電流、開通時間、關斷時間等。由于各參數性能下降或電路問題會造成設備燒損，從表面看各參數造成的可控硅燒損現象不同，因此，通過對燒損產品的剖析，我們可以確定造成燒損產品的參數。

以上就是力可控硅廠家和大家講解的可控硅燒壞的具體原因。

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