晶閘管對我們來說并不陌生，晶閘管是一種電流控制型的雙極半導體器件，它尋求類似于電流源的柵極驅動單元，可以向晶閘管的柵極提供特別陡的峰值電流脈沖，以確保晶閘管在任何時間可靠地觸發。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 晶閘管的柵極觸發特性對晶閘管的額定值和特性參數影響很大。 可以縮短器件的導通時間，降低導通損耗，提高器件的抗di/dt能力。

觸發脈沖幅度對晶閘管開度的影響

晶閘管柵極觸發電流的大小對器件的開關速度有明顯的影響，高柵極觸發電流可明顯縮短器件的開關時間。

　　在觸發脈沖幅值僅為器件IGT時，器件雖可開通，但器件開通使用時間進行延遲出現明顯，會高達數十微妙，這對于提高整機生產設備的可靠有效控制、安全管理運行是不利的。

二.觸發控制脈沖持續上升發展時間(陡度)對可控硅開通的影響

觸發脈沖上升時間（陡度）對可控硅的開啟速度也有顯著影響。觸發脈沖上升時間越長，其效果就等于降低了柵極觸發電流。觸發脈沖越陡，上升時間越短，CR開啟時間越短。

三.可控硅可靠觸發對門極觸發源要求

（1）一般要求：

觸發脈沖電流幅度: ig = 10igt;

　　脈沖持續上升發展時間：tr≤1μs;

（2）高di/dt下的使用：

　　器件在高di/dt下運用時，特別是當可控硅的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導致器件高di/dt損壞。

因此，我們要求在高 di/dt 條件下使用時，柵極觸發電壓 vg 不低于20v，或者柵極電路上串聯二極管，以防止柵極電流回流。

（3）晶閘管串并聯

　　可控硅的串聯：晶閘串聯管應用時，要求其進行相互之間串聯的每個可控硅應盡我們可能地一致通過開通。可控硅的并聯：陡而強的門極觸發一個脈沖技術能使系統并聯可控硅開通時間特性的不平衡問題降至小，從而使有良好的均流效果。