對于學(xué)生交流更加可控以及整流系統(tǒng)輸出控制電路或交流進(jìn)行調(diào)壓模塊電路，其主回路都含有2只可控硅溫度器件可以作為一個正負(fù)半周的可控參數(shù)整流技術(shù)器件，由于中國這二個可控硅的陰極就是不為同電位，故需用2路獨立的觸發(fā)數(shù)據(jù)信號，來分別通過觸發(fā)這2只可控硅。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。圖中的G1、K1與G2、K2即為2路獨立的觸發(fā)輸入信號的引線端。其與可控硅連線為：G1與K1接可控硅的柵極與陰極，G2與K2接第二個實現(xiàn)可控硅的柵極與陰極，請見下圖的可控硅與觸發(fā)板的連線：該圖為使用可控硅交流提供調(diào)壓處理電路，主回路有2只反并聯(lián)可控硅組成，其D1管的柵極接觸發(fā)板的G1引線端，D1管的陰極接觸發(fā)板的K1引線端，D2管的柵極接觸發(fā)板的G2引線端，D2管的陰極接觸發(fā)板的K2引線端，D1與D2這二個可控硅是分別管理工作需要電源設(shè)計電壓的正負(fù)半周。

在正半周期(UAUB)中，晶閘管D1的陽極電位高于其陰極電位，因此，當(dāng)正脈沖輸入到端子G1以觸發(fā)時，晶閘管D1從關(guān)斷開始導(dǎo)通。 然而，晶閘管D2陽極電勢低于陰極的陽極電勢，使得盡管G2端子也接收到正觸發(fā)脈沖，但是晶閘管D2不被觸發(fā)和導(dǎo)通。

在負(fù)半周期中，晶閘管D2陽極電位高于其陰極電位，因此當(dāng)G2輸入正脈沖觸發(fā)時，晶閘管D2從關(guān)斷開始導(dǎo)通。 然而，晶閘管D1陽極電位低于晶閘管D1的陰極電位，使得盡管正觸發(fā)脈沖也輸入到G1，但是晶閘管D1不被觸發(fā)和導(dǎo)通。

交流調(diào)壓電路的原理: 在交流正半周期，d1管的陽極電位高于陰極，d2管的陽極電位低于陰極，只有 d1管被觸發(fā)并打開，而 g2管仍然處于低壓狀態(tài)(見右邊的 g1正半周期負(fù)載波形)。作為減去半個星期的交換條件，你將失去工作