體積小、重量輕、可靠性高、價格低廉...這就是晶閘管的定義。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 硅控憑借上述優勢，一旦誕生了大量的功率半導體廠商，可謂供不應求。

Scr 通常被稱為功率半導體器件模塊。這是一個由四層的三個 pn 結組成的功率半導體器件。

今天，邊肖將和你談談可控硅的五個主要參數:

1 額定通態平均工作電流IT在一定經濟條件下，陽極---陰極間可以進行連續不斷通過的50赫茲發現正弦半波電流的平均值。

2正向阻斷峰值電壓中的控制極開路電壓VPF無觸發信號，陽極正電壓未超過導通電壓，可在可控硅的兩端重復添加正向峰值電壓。CR的正向電壓峰值不能超過手冊中給出的這個參數值。

3反向阻斷峰值電壓VPR當施加反向電壓的晶閘管處于反向關斷狀態時，可以重復晶閘管兩端的反向峰值電壓。 使用時，不能超過本手冊中給出的參數值。

4觸發電流 ig1，觸發電壓 vgt 晶閘管在特定環境溫度下，在陽極和陰極之間施加電壓時，從關斷狀態到通斷狀態所需的最小電流和電壓。

5保持電流IH，在規定的溫度下，控制電極的開路，并維持晶閘管導通所需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適用于高頻應用的快速可控硅、正負觸發信號控制的雙向可控硅、正觸發信號控制導通、負觸發信號控制關斷的可控硅等。

以上問題便是小編給大家進行整理的有關可控硅的參數，希望對大家可以有所發展幫助。

雙向控制硅的特性及應用