可控硅已較廣應用于交直流電機調速技術系統、功率通過調節管理系統和伺服信息系統中。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

硅可以分為單向硅和雙向硅。TTCR也被稱為三端TCR，或triac。BiTCR在結構上等同于兩個反向連接的sics，并具有雙向導電功能。開關狀態由控制極G決定。正脈沖（或負脈沖）可以被添加到控制極G，以使其具有正（或反向）導電性。該裝置的優點是控制電路簡單，無反向電壓電阻問題，特別適用于交流非接觸式開關。

下面力廠家和我們談談晶閘管的特性。

1.額定通態平均電流它在一定條件下，50hz 正弦半波電流平均值可在陽極和陰極之間連續通過。

2.當控制電路未被觸發且陽極正電壓不超過導電電壓時，正極阻塞峰值電壓vpf可反復施加到CR的兩端。CR的峰值正電壓不得超過手冊中給出的參數。

3.反向阻斷峰值電壓vpr當受控硅加反向輸入電壓技術處于一個反向開關設備狀態時，反向峰值電壓可在受控硅的兩端可以重復。使用時，不能沒有超過設計手冊中給出的此參數值。

4.在規定的環境溫度下，當控制極觸發電壓IG1和觸發電壓VGT被施加于來自陽極和陰極的特定電壓時所需的較小的控制極電流和電壓。

5. 將電流IH保持在規定溫度，打開柵極，并保持導通晶閘管所需的較小陽極正向電流。 許多新的晶閘管，例如用于高頻應用的快速晶閘管，可以由正和負觸發信號控制，并且可以由正觸發信號接通。 一種晶閘管，它用負觸發信號關閉它，等等。