可控硅是可控硅整流器元件的縮寫。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。與其他半導體器件一樣，TCR具有體積小、效率高、穩定性好、運行可靠等優點。它的出現已使半導體技術從弱電的部門轉移到高功率部門，并已成為工業、農業、交通、軍事研究、商業和民用電器的一個組成部分。

在操作中，晶閘管（也稱為晶閘管）T具有連接到電源和負載陽極A和陰極K，形成晶閘管的主電路。晶閘管的柵極g和陰極k以及用于控制晶閘管的裝置連接以形成用于晶閘管的控制電路。

雙向晶閘管是一種具有三個電極 t1，t2和 g 的五層 npnpn 器件，因為器件可以在兩個方向連接，除了柵極 g 之外的兩個電極統稱為主端子，使用 t1和 t2。它不再分為陽極或陰極。當 g 極和 t 擁有屬性之間的電壓相對于 t 1是正電壓時，t 2是陽極，t 1是陰極。相反，當 g 和 t2電極的電壓相對于 t1為負時，t1成為陽極，t2成為陰極。由于正反向特性曲線的對稱性，三端雙向晶閘管開關的伏安特性可以任意方向切換。

可控硅是一個四層三端器件，有三個PN結J1，J2和J3，可以將中間的NP分成兩部分，形成PNP型三極管和NPN型復合管。三極管。

當可控硅經受正向影響陽極工作電壓時，為了實現接通可控硅，須防止企業經受反向輸入電壓的PN結J2阻塞。圖2中每個晶體管的集電極電流是另一個晶體管的基極電流。因此，當兩個方面相互關系復雜的晶體管進行電路設計具有自己足夠的柵極電流Ig流入時，形成強的正反饋，導致他們兩個晶體管飽和問題并且由于晶體管飽和。

以上是廠家和大家解釋的可控硅的工作過程和原理。

晶閘管整流裝置簡介