對于可控硅來說，憑借著其優良的性能，在工業企業行業發展中被廣 泛的使用，可控硅具有硅整流電路器件的特性，它能夠在高電壓、大電流的條件下學生進行管理工作。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。對于我們一些相關專業的電力信息技術研究人員，都知道可控硅的各種不同分類，但這畢竟是一個少數的，大多數人認為對于可控硅的分類問題還是很模糊的，現在，的小編就和大家一起分享自己一下可控硅的分類及特點：

1 普通可控硅

普通可控硅技術廣泛應用于交流/直流調頻、調光、調溫等低頻領域。然而，該裝置的運行會產生波形失真，降低功率因數，影響電網的質量。

2 雙向可控硅

雙向晶閘管可以看作是一對反并聯的公共晶閘管的集成，常用于交流電壓和功率調節電路中。 正脈沖和負脈沖都可以觸發導通，因此控制電路相對簡單。 其缺點是換向能力差，觸發靈敏度低，停機時間長。

3 光控可控硅

光控可控硅是一種利用光信號控制可控硅的觸發和導通的裝置。它具有較強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和高的瞬時過電壓承受能力，因此已應用于高壓直流 # 背靠背、靜止無功補償等領域。

4 逆變可控硅

因其關斷時間短(10 ~ 15s)，主要用于中頻感應加熱。在逆變電路中，它已經讓位于GTR、GTO和IGBT等新型器件。

5 非對稱可控硅

非對稱可控硅是一種正、反向工作電壓耐量不對稱的可控硅。而逆導可控硅不過是通過非對稱可控硅的一種沒有特例，是將可控硅反并聯作為一個就是二極管進行制作在同一管芯上的功率可以集成電路器件。與普通控制可控硅相比，它具有安全關斷時間短、正向壓降小、額定結溫高、高溫環境特性好等優點，主要包括用于分析逆變器和整流器中。

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