可控硅可控硅等器件，在實際使用過程中由于自身的功耗和加熱。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。如果我們不采取適當的措施放出熱量，很可能導致組件 pn 結溫度急劇上升。這個裝置的特性不斷惡化，直到它被完全摧毀。因此，為了保證可控硅的正常使用，合理的散熱十分重要。可控硅常用的冷卻方式有自然冷卻、強制風冷、熱管冷卻、水冷卻、油冷卻等。

一般來說，晶閘管的結溫不容易直接測量，不能作為衡量晶閘管結溫是否超溫的標準。控制模塊層溫度是控制節點溫室的有效方法。由于PN結的結溫TJ與外殼溫度Tc之間存在一定的溫度梯度，所以在外殼溫度已知的情況下，結溫也是已知的，較大的外殼溫度Tc是有限的，由產品數據表給出。

借助于溫度進行控制系統開關，可以更加方便地通過測量管理模塊基板與散熱器接觸的溫度(溫度傳感元件應放置在模塊基板的較高溫度以及位置)。由溫度達到控制天關測得的殼體溫度，可用來分析判斷功能模塊設計是否能夠正常發展工作。如果在電路中分別添加學生一個或兩個方面溫度數據控制電路來控制風扇的開度或主電路的關斷，則可以有 效地保證可控硅在額定結溫下工作。

當然，需要注意的是，溫度控制開關測量的溫度是指模塊底板表面的溫度，易受環境和空氣對流的影響，與溫度有一定的間隙。模塊與散熱器之間的接觸面。