可控硅作為一種常見的電子元件，在安裝使用前需要識別其三極。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。總的來說，可控硅三極的方法很簡單。根據pn結原理，用萬用表測量三極之間的電阻即可。

　　陽極與陰極保護之間的正向和反向影響電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向進行電阻在幾百千歐以上(它們發展之間有兩個P-N結，而且研究方向具有相反，因此作為陽極和控制極正反向都不通)。

控制極和陰極之間是一個P-N結，其正向電阻在幾歐元-幾百歐元范圍內，反向電阻大于正向電阻。然而，控制極二極管的特性并不理想，反向不是完全阻塞狀態，可以有相對較大的電流通過，因此，有時測量的控制極反向電阻相對較小，并不意味著控制極特性不好。另外，在測量控制桿的正負電阻時，應將萬用表放在R*10或R*1塊中，以防止高壓控制桿反向擊穿。

如果元件陰極和陽極的正、負方向短路，或者陽極和控制電極短路，或者控制電極和陰極短路，則元件損壞。

還有一種方法來測試晶閘管是否可以被觸發，晶閘管和燈泡是否串連在一起，連接到直流電源，如果燈亮，則柵極接觸陽極指示晶閘管是否可以被觸發。