Scr，也稱為 scr，屬于電源設備領域，是功率半導體器件。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅是它的縮寫。根據晶閘管的特點，可分為單向晶閘管和雙向晶閘管。晶閘管，是由 pnpn 四層半導體元件組成。它具有三個電極，即陽極 a、陰極 k 和控制電極 g. 晶閘管，可以在電路中實現交流無觸點控制，利用小電流控制大電流，如無火花繼電器控制。本實用新型具有動作快、使用壽命長、可靠性好等優點。它常常在變速、變光、變電壓、溫度控制等控制電路中有一個后置位置。可控硅分為單向和雙向，不同的符號。

單向可控硅整流器有三個PN結。陽極和陰極分別從外p極和n極引出，控制極從中間p極引出。單向硅有其獨特的特性:當陽極接反向電壓時，或者陽極接直流電壓但控制電極不加電壓時，它是不導通的，當陽極和控制電極同時接直流電壓時，它就變成導通的。控制電壓一旦接通，就會失去控制功能。無論有無控制電壓，無論控制電壓的極性如何，始終處于導通狀態。要關閉，陽極氧化電壓只能降低到某個閾值或相反的方向。

雙向可控硅的大部分數據引腳可以按照T1、T2和G(電極引腳向下，側面有字符)從左到右排列。當加入企業控制極G的觸發信號脈沖影響大小或時間問題發生變化時，可改變系統通電工作電流。雙向可控硅與單向可控硅的不同發展之處主要在于，當雙向可控硅G極上單脈沖的光旋轉方式改變時，其開關方位角隨旋光方向的變化而變化，從而有效控制信息交流以及電流計算負載。單向可控硅觸發后只能采用單向從陽極到陰極引導，因此我們存在一種單向和雙向可控硅。