鑒別胸腺三極的方法非常簡單。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。根據P-N結原理，用萬用表測量三極之間的電阻值。由于缺乏這方面的相關知識，許多客戶在識別晶閘管的三極時會存在很多問題。以下詳細信息：

陽極和陰極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐，陽極和控制電極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐(它們之間有兩個p-n結，方向相反)，因此陽極和控制電極的正和負方向不切換。

在控制電極和陰極之間有一個 p-n 結，因此正向電阻在幾到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。但是，控制二極管的特性不理想，反向不是完全堵塞狀態，可能會有較大的電流通過，所以有時被測控制極的反向電阻很小，不能說控制極的特性不好。此外，萬用表在測量控制桿的正負電阻時，應放在 r * 10或 r * 1內，以防止控制桿因電壓過高而反向擊穿。

如果測量到元件的陽極和陰極正向和反向短路，或者陽極和控制電極短路，或者控制電極和陰極短路，或者控制電極和陰極開路，則元件損壞。

可控硅和其它國家半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作提供可靠等優點。它的出現，使半導體信息技術從弱電工程領域進入了強電領域，成為中國工業、農業、交通安全運輸、軍事教育科研以至我國商業、民用電器管理等方面爭相研究采用的元件。

公司生產各類可控硅智能模塊、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各種控制柜、控制板等配套產品，真誠期待與各家公司和采購人員合作，提供廉價、可靠的電子元件質量。