當可控硅損壞后，一定要能夠及時找到損壞的原因，然后立即開始進行系統故障信息處理，下面教你如何通過區分可控硅損壞的原因。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。

當需要查看和分析原因時，可以從冷卻組中取出芯件，打開芯件盒，然后取出芯片，調查損傷后的痕跡，以查明原因。下面介紹了幾種常見的外觀分析。

當前損壞。 電流損傷痕跡的特征在于芯片被燒入凹坑中并且粗糙且遠離控制電極定向。

電壓擊穿。可控硅(scr)被不可接受的電壓損壞，其芯片上有一個小的、發光的孔，有時可以通過擴展器看到。原因可能是電子管本身對電壓降的電阻或斷開電路時發生的高壓擊穿。

目前的上升率受損。其跡線與電流損傷相同，方位在控制極附近或剛好在控制極上。

邊際損壞。他發生在一個芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細研究金屬物劃痕。這是我們制作生產廠家控制裝置存在不小心所形成的。它致使工作電壓擊穿。

以上4個原因是常見的可控硅損傷原因，遇到可控硅損傷的事情，應冷靜分析。