雙向可控硅是目前進行交流調壓使用管理范圍很廣的領域，它的優(yōu)點有很多，比如一個具有體積小、重量輕、效率高和使用可以方便等，對提高企業(yè)生產(chǎn)工作效率和降低物流成本等都有非常明顯的效果，但是同時它也有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會產(chǎn)生干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面我們就來說說可控硅在使用中如何有效避免因為這些社會問題。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

1.觸發(fā)靈敏度的控制

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，在圖1所示的四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度高，(b)觸發(fā)靈敏度低，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。

2. 三端雙向可控硅過載保護

雙向晶閘管具有許多優(yōu)點，但過載能力差，短時過流和過電壓會造成元件損壞，因此為了保證元件的正常運行，需要滿足以下條件:

(1)施加的電壓允許超過正向翻轉電壓，否則控制電極不起作用；

(2) 雙向可控硅的通態(tài)平均工作電流從安全管理角度進行考慮企業(yè)一般按電流的1.5～2倍來取；

(3)為保證控制觸發(fā)可靠，控制極的觸發(fā)電流一般大于其前值；

此外，還需要采取保護措施，一般過流保護措施是在電路中連接一個額定電流約為晶閘管電流平均值1.5倍的快速熔斷器。 連接位置可在交流側或直流側，當額定電流在交流側時，通常采用交流側，帶電感的電路經(jīng)常發(fā)生過電壓保護。 或交流側干擾的浪涌電壓或交流側瞬態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓。 由于過電壓峰值高、作用時間短，通常采用電阻和電容吸收電路來抑制過電壓。

3. 控制大電感負載時，避免電網(wǎng)干擾和自身干擾

雙向晶閘管控制較大感性負載時，會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。原因是當晶閘管模塊控制一個與感性負載相連的電路關斷或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，變化率極高，于是在電感上產(chǎn)生一個高電壓，通過電源的內阻施加到開關觸點兩端，然后將感應電壓反復放電，直到感應電壓低于放電所需的電壓，在這個過程中會產(chǎn)生一個巨大的脈沖束。這些脈沖束疊加在電源電壓上，以輻射的形式將干擾傳輸?shù)诫娫淳€或周圍空間。這種脈沖幅度大，頻率寬，所以帶感性負載的開關點是強噪聲源。