逆導晶閘管點是在晶閘管的陽極和陰極之間逆并聯連接的二極管，使得陽極和陰極的發射極結處于短路狀態。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。 由于這種特殊的電路結構，它具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、導通電壓低等優點。 例如，逆導晶閘管具有僅幾微秒的關斷時間和幾十千赫的工作頻率，優于快速晶閘管(F可控硅)。 該裝置適用于開關電源和UPS不間斷電源，一個RCT可以分別代替一個晶閘管和一個續流二極管，不僅使用方便，而且可以簡化電路設計。

反向導通可控硅性能測試的主要內容是:

1.檢查逆導性

選擇萬用表 r × 1級，黑色表筆到 k 極，紅色表筆到極(見圖3(a)) ，電阻值應為5ー10ω。如果電阻值為零，則內部二極管短路，電阻無窮大，二極管斷路。

2.測量技術正向影響直流轉折電壓V(BO)

按照(b)圖接好電路，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V(BO)值。

3.檢查觸發能力

注意事項

應在R ° 1下測量S3900MF的VTR0.8V。

如果通過讀取電流得到 itr 值，也可以繪制反向伏安特性。

①一般小功率晶閘管不需要加翅片，但應遠離發熱元件，如大功率電阻、大功率三極管和電源變壓器等。對于大功率可控硅，必須按照說明書的要求安裝散熱器和冷卻條件，以保證燈管的工作溫度不超過結溫。

②可控硅在使用中發生發展超越和短路故障現象時，會引發過電流將管子燒毀。對于過電流，一般企業可在學生交流工作電源中加裝一個快速檢測保險絲沒有加以有效保護。快速通過保險絲的熔斷時間極短，一般保險絲的額定電流用可控硅額定平均計算電流的1.5倍來選擇。

③交流工作電源在接通與斷開時，有可能在可控硅的導通或阻斷對出現過壓現象，將管子擊穿。對于系統過電壓，可采用不同并聯RC吸收其他電路的方法。因為一個電容兩端的電壓技術不能產生突變，所以只要在可控硅的陰極及陽極間并取RC電路，就可以得到削弱學生電源設計瞬間就會出現的過電壓，起到環境保護可控硅的作用。當然也可以選擇采用壓敏電阻過壓保護相關元件之間進行過壓保護。

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