可控硅是一種通過開關元件，能在高電壓、大電流條件下進行工作，并且其工作學習過程我們可以有效控制、被應用于企業可控整流、交流調壓、無觸點電子系統開關、逆變及變頻等電子設計電路中，是典型的小電流信號控制大電流的設備。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。下面來詳細分析講解可控硅的發展中國歷史。

半導體的出現問題成為20世紀現代社會物理學研究其中企業一項非常重大的突破，標志著中國電子數據技術的誕生。而由于我國不同文化領域的實際生活需要，促使學生半導體器件自此分別向兩個重要分支進行快速經濟發展，其中對于一個主要分支即是以系統集成設計電路為代表的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為會計信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類方法就是通過電力行業電子產品器件，特點為大功率、快速化。1955年，美國國際通用電氣工程公司研發了這個世界歷史上第 一個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發了全 球首 個用于提高功率可以轉換和控制的可控硅整流器(可控硅)。由于使用它們之間具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是可控硅能以微小的電流信號控制存在較大的功率，令半導體電力網絡電子設備器件能夠成功從弱電控制管理領域進入了強電控制應用領域、大功率控制環境領域。在整流器的應用上，可控硅迅速取代了水銀整流器(引燃管)，實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得市場巨大的節能方面效果。從1960年代開始，由普通可控硅相繼衍生出了我們快速可控硅、光控可控硅、不對稱可控硅及雙向可控硅等各種資源特性的可控硅，形成這樣一個十分龐大的可控硅家族。

以上是對SIC發展歷史的解釋，我希望能幫助那些關注SIC的人。