目前雙向可控硅廣泛用于交流調(diào)壓。具有體積小、重量輕、效率高、使用方便的優(yōu)點，對提高生產(chǎn)效率、降低成本有明顯效果。但也有過載和抗干擾能力差的缺點，控制大感性負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾。下面介紹使用可控硅時如何避免上述問題。

　　雙向可控硅是三端元件，但我們不再稱其兩ji為陰ji和陽ji，而是T1和T2ji，G為控制ji。施加在控制ji上的電壓無論是正觸發(fā)脈沖還是負觸發(fā)脈沖都能使控制ji導(dǎo)通。在圖1所示的四種情況下，雙向可控硅都可以被觸發(fā)開啟，但觸發(fā)靈敏度各不相同。即保證雙向可控硅能進入導(dǎo)通狀態(tài)的zui小柵ji電流IGT存在差異，其中(a)觸發(fā)靈敏度zui高，(b)觸發(fā)靈敏度zui低。為了保證觸發(fā)并盡可能限制柵ji電流，應(yīng)選擇觸發(fā)模式(c)或(d)。

　　可控硅元件有很多優(yōu)點，但其過載能力差，短時過流和過壓會造成元件損壞。因此，為了保證元件的正常工作，需要具備以下條件:(1)允許施加的電壓超過正向翻轉(zhuǎn)電壓，否則控制電ji不起作用；(2)/kloc-0/的通態(tài)平均電流從anquan角度考慮一般為zui大電流的1.5~2倍；(3)為了保證控制ji的可靠觸發(fā)，施加在控制ji上的觸發(fā)電流一般大于其值。此外，bixu采取保護措施。過電流的保護措施一般是在電路中連接一個快速熔斷器，其額定電流約為可控硅電流平均值的1.5倍。其接入位置可以在交流側(cè)或DC側(cè)。當(dāng)交流側(cè)額定電流較大時，一般采用前者作過電壓保護。由于過電壓峰值高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路來yizhi。

　　當(dāng)可控硅元件控制較大感性負載時，會產(chǎn)生對電網(wǎng)的干擾和自干擾。原因是當(dāng)可控硅元件控制一個與感性負載相連的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率ji高，因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓。這個電壓通過電源的內(nèi)阻施加在開關(guān)觸點的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓。這些脈沖束疊加在電源電壓上，并以輻射的形式將干擾傳輸?shù)诫娫淳€或周圍空間。這些脈沖具有高振幅和寬頻率，因此具有感性負載的開關(guān)點是強噪聲源。

　　為了防止或降低噪聲，移相控制交流調(diào)壓的一般處理方法有電感電容濾波電路、電阻電容阻尼電路、雙向二ji管阻尼電路等電路。

　　如圖2(a)所示，電感濾波電路由電感和電容組成，其低通截止頻率為f=1/2πIc，通常取幾十千赫茲的低頻。

　　雙向二ji管阻尼電路，如圖2(b)所示。因為二ji管反向串聯(lián)，所以它對輸入信號的ji性不敏感。當(dāng)負載被電源激勵時，yizhi電路對負載沒有影響。當(dāng)感性負載線圈中的電流被切斷時，yizhi電路中會流過瞬態(tài)電流，從而阻止感應(yīng)電壓通過開關(guān)觸點放電，從而降低噪聲，但要求二ji管的反向電壓應(yīng)高于任何可能出現(xiàn)的瞬態(tài)電壓。另一個是額定電流值要滿足電路要求。

　　電阻阻尼電路，如圖2(C)所示，利用電容電壓不能突變的特性來吸收可控硅換相時產(chǎn)生的尖峰過電壓，并將其限制在允許的范圍內(nèi)。串聯(lián)電阻用于防止可控硅阻塞時電容和電感振蕩，起到阻尼作用。此外，阻容電路可以加速可控硅的導(dǎo)通。

　　另一種防止或降低噪聲的方法是使用開關(guān)比來控制交流電壓調(diào)節(jié)。其原理是在電源電壓為零，即控制角為零時，用一個過零觸發(fā)電路來控制兩路可控硅的通斷，從而在負載上獲得一個完整的正弦波。但它的缺點是適用于時間常數(shù)比開關(guān)周期長的系統(tǒng)，比如恒溫器。