對于單向SICR，柵極電壓達到門閾值VGT，柵極電流達到閾值IGT。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。當觸發電流的脈沖寬度較窄時，應增加觸發電平。當負載電流超過定向SIC的鎖存電流IL時，即使柵極電流降低到零，SIC仍然保持導電。為了確保電路也能在較低的環境溫度下正常工作，驅動電路需要提供足夠高的電壓、電流和占用空間

空比的控制信號。

在高溫下，由于陽極和陰極之間的漏電流，高靈敏度單向晶閘管可能會錯誤觸發，因此不應超過TJMAX。 為了可靠地關斷單向晶閘管，負載電流必須下降到保持電流IH以下并保持一定時間。

標準的雙向晶閘管可以由正向柵極電流觸發，也可以由反向柵極電流觸發，這種觸發可以在四象限內進行。當負載電流為零時，由反相直流或單極脈沖(柵)電流觸發。

在常見的交流相位控制電路中，如電燈調光器、家用電機調速器等，晶閘管G和MT2的極性要一致，在設計晶閘管時要避免工作在3+區(MT2是-而G是+)。

值得我們注意的是，雙向可控硅可能在進行一些學生意想不到的情況下觸發導通，其后果有些企業問題影響不大，而有些則有一個潛在的破壞性。

1.柵極上的噪聲電平

在電噪聲環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并且有足夠的柵極電流來刺激SIC內部的正反饋。在安裝時，首先使門外的連接盡可能短。當連接不能很短時，可利用絞合線或屏蔽線來減少干擾的侵入。然后在G和MT1之間增加一個1kΩ的電阻，以降低其靈敏度，還可以同時增加一個100nF的電容器，以濾除高頻噪聲。

2. 開關電壓變化率

當驅動大感性負載時，負載電壓和電流之間存在較大的相移。當負載電流為零時，雙向晶閘管開始反向，但由于相移，電壓不為零。晶閘管需要快速關閉這個電壓。如果換向電壓的變化超過允許值，則沒有足夠的時間釋放結之間的電荷，并迫使雙向晶閘管重新接通。

為了能夠克服通過上述分析問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制工作電壓的變化，以防止誤觸發。一般，電阻取100Ω，電容取100nF。值得我們注意的是此電阻數據不能直接省掉。

3.關于企業轉換電流進行變化率

當負載電流增加，電源頻率增加或電源為非正弦波時，轉換電流的變化率會變高，在感知負載的情況下容易發生，也容易導致設備的損壞。此時，在負載中是可能的

電路中串聯連接的幾個毫亨的空氣電感。

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