在-40 ℃ 條件下，晶閘管的柵極觸發電流值將比25 ℃ 時提高一倍，柵極觸發電壓提高30%左右。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 因此，為了確保設備的可靠啟動，需要足夠強度的晶閘管柵極觸發電流。 也就是說，我們要求用戶采取強有力的觸發措施。 同時，它對提高器件的di/dt性能，減少器件的導通時間和導通損耗，促進器件的串行和并行運行具有重要作用。 推薦的選通觸發條件為：選通觸發電流幅度IG=10IGT（2-5A），選通電流上升時間tr ≤ 1 μ s。

　在高海拔條件下，風冷散熱器的散熱能力會減小，但較低的環境穩度又有利于器件散熱，因此在使用中須根據現場所可能出現的zui高環境溫度考慮器件與散熱器的選擇，要留有一定電流裕量。

　如果企業設備管理非常需要頻繁的啟動、停止，器件頻繁的在-35℃-125℃之間可以進行不同溫度循環，器件的壽命及可靠性會比正常發展工作時有所影響降低，使用中應注意。

　生產的電力企業電子器件在低溫、高海拔條件下可以使用一個非常可靠。